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荧光光谱(PL)

荧光光谱(PL)

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荧光光谱(PL)

项目简介

  在吸收紫外和可见电磁辐射的过程中,分子受激跃迁至激发电子态,大多数分子将通过与其它分子的碰撞以热的方式散发掉这部分能量,部分分子以光的形式放射出这部分能量,放射光的波长不同于所吸收辐射的波长。后一种过程称作光致发光。基于化合物的荧光测量而建立起来的分析方法称为分子荧光光谱法。

  被测的荧光物质在激发光照射下所发出的荧光,经过单色器变成单色荧光后照射于光电倍增管上,由其所发生的光电流经过放大器放大输至记录仪。一个激发,一个发射,采用双单色器系统,可分别测量激发光谱和荧光光谱。


常见项目

  稳态荧光光谱:基于化合物的荧光测量而建立起来的分析方法称为分子荧光光谱法。

  变温荧光光谱:温度不仅对荧光强度有着影响,还时常会影响到荧光光谱的形状和波长。荧光发射组分的摩尔消光系数(或者叫辐射速率常数)通常对温度有微弱的依赖关系。然而,受振动耦合控制的非辐射速率常数则受到温度的强烈影响,并随温度的升高而增加。这意味着随着温度的升高,荧光强度将会降低。同样,碰撞猝灭也会随温度升高,也会导致荧光强度降低。荧光还在很大程度上受荧光发射分子周围分子的影响。在液氮或液氦冷却下测量的荧光实验结果表明,低温下不仅荧光强度会增加,而且荧光激发和发射光谱中的振动结构数量也会增加。在低温下,碰撞猝灭下降,非辐射速率常数也将减小,带来荧光辐射强度的增加。在室温下的荧光光谱中,会出现多环芳香烃类分子的振动峰。

  荧光瞬态寿命:荧光寿命检测是用于判断物质激发态寿命和载流子动力学过程的常用技术之一。当某种物质被一束激光激发后,该物质的分子吸收能量后从基态跃迁到某一激发态上,再以辐射跃迁的形式发出荧光回到基态。当去掉激发光后,分子的荧光强度降到激发时的荧光最大强度的1/e所需要的时间,称为荧光寿命,常用τ表示。

  荧光量子产率:荧光量子产率也叫荧光效率或量子效率,它表示物质发射荧光的能力,在产生荧光的过程中,涉及到许多辐射和非辐射跃迁过程,如荧光发射、内转移、系间窜跃和外转移等。荧光的量子产率,将与上述每一个过程的速率常数有关。荧光量子产率为内量子产率。

  三维荧光测试:三维荧光图谱是描述荧光强度同时随激发波长和发射波长变化的关系图。三维荧光光谱则是由激发波长(y轴))一发射波长(x轴)一荧光强度(z轴)三维坐标所表征的矩阵光谱(Excitation—Emission—Matrix Spectra),也叫总发光光谱 (Total luminescence Spectra)。通常的荧光光谱是荧光强度对发射波长扫描所得的平面图。三维荧光光谱技术不仅能够获得激发波长与发射波长,同时能够获取变化时的荧光强度信息。三维荧光光谱图一般有三维投影图和等高线荧光光谱图这两种表示方式。


结果展示

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常见问题

  1. 上转换荧光量子产率是如何计算的?

  上转换荧光量子产率=(样品发射波长面积-背景发射波长面积)/(背景激发波长面积-样品激发波长面积)

  2. 测试的荧光量子产率是内部量子产率还是外部量子产率?

  是内量子产率,属于绝对量子产率;

  3. 外部量子产率和内部量子产率啥意思?

  外量子产率=样品发射光子数/入射到样品的光子数;内量子产率=样品发射光子数/样品吸收光子数。

  4. 发光量子产率是什么?

  发光物质吸光后所发射光的光子数与所吸收的激发光的光子数之比值。在通常情况下,发光量子产率的数值总是小于1。发光量子产率的数值越大,化合物的荧光或磷光越强。不发光的物质,其发光量子产率的数值为零或非常接近于零。

  5. 绝对量子产率和相对量子产率的区别是什么?

  绝对量子产率的最大优势是不需要标准样品进行对比即可得到测试结果:可以测试固体薄片或者粉末;可以测试近红外范围的量子产率;测试数值稳定,可重复性较好;不用由于标准品引起测试的巨大误差。而传统的相对量子产率测试方法需要样品必须与一个已知量子产率的标准品进行比较,然后得到一个相对的量子产率数值,因而传统的相对测试方法需要满足以下条件:样品必须精确的与吸收波长相匹配;样品的激发和吸收必须在相同的光谱范围。


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